使用X射线衍射技术判定SiC单晶体的结构和极性

• 作 者: 郑新和 渠波 等
• 机 构: 中国科学院半导体研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2001年1期
• 关键词: 极性 X射线 衍射技术 碳化硅 单晶体结构 Si C single crystal polarity hexagonal6 H scattering facto

使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性。SiC单晶体由化学气相淀积法获得。六方{101^-5}极图证明了该单晶结构为6H型。三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的Si终端面和C终端面，即极性面。两个面的一、二、三级衍射强度的测量比值与经过散射因子修正后计算的结构振幅平方比值│F（000L)│^2/│F（000L^-)│^2非常吻合。因此，利用极性面的衍射强度差异，可以方便、严格地判断具有类似结构如2H{0001}、4H{0001}及3C－SiC{111}的极性。