【摘 要】
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在双极型微波器件３ＤＧ４４、３ＤＧ８６上采用了新型金属化Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ系统．研究了多种热电应力下ＴｉＮ的阻挡特性，结果显示采用ＴｉＮ层的器件抗热电迁徙能力显著提高，加速寿命为原器件的３倍多。ＡＥＳ分析表明原器件失效机理为
【机 构】
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北京工业大学可靠性物理研究室,东方通用晶体管厂
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在双极型微波器件３ＤＧ４４、３ＤＧ８６上采用了新型金属化Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ系统．研究了多种热电应力下ＴｉＮ的阻挡特性，结果显示采用ＴｉＮ层的器件抗热电迁徙能力显著提高，加速寿命为原器件的３倍多。ＡＥＳ分析表明原器件失效机理为Ａｌ、Ｓｉ互扩散，致使ＥＢ结退化．而采用ＴｉＮ阻挡层的器件发射区中未发现Ａｌ离子，ＴｉＮ有效阻止了Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，提高了界面稳定性。
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