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针对实验中发现的亚微米ＬＤＤ结构的特殊的衬底电流现象和退化现象，进行了二维器件数值模拟，解释了ＬＤＤ器件退化的原因，最后提出了ＬＤＤ器件的优化工艺条件。
0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析
【摘 要】
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针对实验中发现的亚微米ＬＤＤ结构的特殊的衬底电流现象和退化现象，进行了二维器件数值模拟，解释了ＬＤＤ器件退化的原因，最后提出了ＬＤＤ器件的优化工艺条件。
【机 构】
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航天部第二研究院计算机应用和仿真技术研究所,陕西微电子学研究所
【出 处】
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电子科学学刊
【发表日期】
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1994年4期
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