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Cool MOS具有优越的直流特性.为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻Ron的原理.通过理论计算,得到相关的设计参数,并结合TCAD软件对Cool-MOS的多个参数(外延参数、注入剂量、单胞尺寸、推阱时间)进行了优化.最终得到击穿电压为630 V,特征导通电阻RonA仅为12.5 mΩ·cm-2的CoolMOS结构,器件特性大大优于传统功率MOSFET.