薄硅层阶梯埋氧PSOI高压器件新结构

• 作 者: 吴丽娟 胡盛东 张波 李肇基
• 机 构: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都信息工程学院通信工程系
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 2010年3期
• 关键词: 薄硅层 介质场增强 阶梯埋氧 耐压 调制 自热效应 thin silicon layer ENDIF self-heating effect step

基于介质电场增强ENDIF理论,提出了一种薄硅层阶梯埋氧型部分SOI（SBPSOI）高压器件结构。埋氧层阶梯处所引入的电荷不仅增强了埋层介质电场,而且对有源层中的电场进行调制,使电场优化分布,两者均提高器件的击穿电压。详细分析器件耐压与相关结构参数的关系,在埋氧层为2μm,耐压层为0.5μm时,其埋氧层电场提高到常规结构的1.5倍,击穿电压提高53.5%。同时,由于源极下硅窗口缓解SOI器件自热效应,使得在栅电压15V,漏电压30V时器件表面最高温度较常规SOI降低了34.76K。