【摘 要】
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采用水热法,以3mol/L KOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,通过添加适量比例的In_2O_3,合成了掺In的ZnO晶体.In离子掺杂不仅可以改善晶体形貌特征,使晶体光滑,结构完整,呈现规
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采用水热法,以3mol/L KOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,通过添加适量比例的In_2O_3,合成了掺In的ZnO晶体.In离子掺杂不仅可以改善晶体形貌特征,使晶体光滑,结构完整,呈现规则对称的薄片状六棱形,而且霍尔测量显示大大增加了其载流子浓度,实现N型导电.“,”The ZnO Crystals of diluted magnetic doped In~(3+)ions were synthrsized by hydrothermal method. These experiments were finished by mineralizer of 3mol/L KOH,the fill factor of 35%,reaction temperature of 430℃,and time of 24 hours.In3 + in ZnO not only improve crystals shape,which makes the obtained ZnOfacies slick and structure intact,showing regular symmetrically hexagon,hut also greatly increase the charge carrier concentration and the n-type conduction come ture.
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