基于SOS／SOI绝缘衬底的Si／SiGe HBT设计

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangchi900207

【摘要】

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着重讨论了衬底阻抗对HBT器件频率性能的劣化机制.基于双口网络理论,定量分析了fT和fm与衬底电阻率的关系;采用SOS/SOI绝缘衬底和自行设计的岛型隔离方法,抑制了绝大多数容性

【作者】

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史辰陈建新杨维明

【机构】

：

北京工业大学

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

SOS/SOI 异质结双极晶体管衬底阻抗岛膈离发射极自对准 HBT SOS/SOI Heterojunction bipolar transistor S

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着重讨论了衬底阻抗对HBT器件频率性能的劣化机制.基于双口网络理论,定量分析了fT和fm与衬底电阻率的关系;采用SOS/SOI绝缘衬底和自行设计的岛型隔离方法,抑制了绝大多数容性寄生参数;同时,围绕绝缘衬底进行Si/SiGe HBT的横向/纵向结构设计,开发出发射极自对准工艺方法,用于降低接触电阻和一定特征尺寸下的结面积,提高了HBT的频率性能.

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