【摘 要】
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本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层。测量出其输出特性曲线,
【机 构】
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兰州大学微电子研究所,兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,
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本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层。测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性。对器件温度特性的研究表明,漏极电流随着温度的升高而增大。XRD分析表明,在Si/SiO2和Si/SiO2/Al两种衬底上蒸镀制备的CuPc薄膜呈多晶结构,且两种衬底上的CuPc薄膜晶粒尺度大致相等。
This paper reports a stacked structure of organic FETs, which is different from the general top contact and bottom contact structure OFET. The device is prepared by vacuum coating, with SiO2 as the insulating layer and copper phthalocyanine CuPc as the channel layer. Measure its output characteristic curve, can see more obvious field effect characteristic. Research on the temperature characteristics of the device shows that the drain current increases with increasing temperature. XRD analysis shows that the CuPc thin films deposited on Si / SiO2 and Si / SiO2 / Al substrates have polycrystalline structure, and the grain sizes of CuPc films on both substrates are approximately the same.
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