不同偏压下Zn1—xCdxSe—ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

• 作 者: 于广辉 胡德宝
• 机 构: 中国科学院长春物理研究所,吉林大学电子工程系
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2000年1期
• 关键词: 超晶格 电调制反射谱 电光调制 半导体 Zn1xCdxSe ZnSe superlattices electromodulated reflectance s
• 基金项目: 国家攀登计划,国家自然科学重大基金!( N o.698962 60 ),国家自然科学基金!( No. 5 9772 0 3 6,N o.698860 0 3 ,No.699770 19)

首次研究了在室温和不同直流偏压下Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ－ＺｎＳｅ超晶格结构的电调制反射谱（ＥＲ）的变化。当器件处于弱场范围时，随着电场的增加，ＥＲ谱的信号幅度增加，而线型不变；在强场区，随着电场的增加，ＥＲ谱的线型发生变化，激子跃迁能量红移，继续增加反向偏压出现来自于１ｃ－２ｈｈ的禁戒跃迁，且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的ＥＲ谱研究表明，势垒高度较低的超晶格结构中的激子较