【摘 要】
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从理论上阐明了获得高分辩二次电子成分衬底像的原理，条件和方法，并作了细致的实验验证，空间分辩率为３．３ｎｍ，原子序数分辩率为０．０３Ｚ。实验研究样品为分子束外延ＡｌＧａＡｓ量子阱顺，其分层结构的最小层宽
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从理论上阐明了获得高分辩二次电子成分衬底像的原理，条件和方法，并作了细致的实验验证，空间分辩率为３．３ｎｍ，原子序数分辩率为０．０３Ｚ。实验研究样品为分子束外延ＡｌＧａＡｓ量子阱顺，其分层结构的最小层宽为７ｎｍ，测得的层宽和透射电镜测量结果相吻合，由于透射电镜制样的复杂和困难，高分辩扫描电镜二次电子成分衬度像观测方法具有重要的理论意义和实用价值。
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