钕离子注入单晶硅光致发光的起源

• 作 者: 肖志松 徐飞 张通和 易仲珍 程国安
• 机 构: 北京师范大学低能核物理研究所射线束技术与材料改性教育部重点实验室,复旦大学应用表面物理国家重点实验室,南昌大学材料科学与工程系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 光致发光 离子注入 稀土
• 基金项目: 国家自然科学基金

Nd离子注入到(111)单晶硅中形成钕掺杂层,室温下,紫外光(220nm)激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强.X射线光电子能谱分析表明掺杂层存在Si-O,Nd O,Si-Si和O O键.发光主要是由于Nd3+的4f内层电子的辐射跃迁所致,同时,离子注入带来的缺陷和损伤也能发光.