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采用亚阀Ⅰ－Ⅴ技术，分析了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件在＾６０Ｃｏ－γ辐照场中的电参数退化行为和机制。结果表明，器件经辐照后产生了较严重的损伤。
CMOS／BESOI器件的电离辐照特性
【摘 要】
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采用亚阀Ⅰ－Ⅴ技术，分析了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件在＾６０Ｃｏ－γ辐照场中的电参数退化行为和机制。结果表明，器件经辐照后产生了较严重的损伤。
【出 处】
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上海微电子技术和应用
【发表日期】
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1996年1期
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