ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟

• 作 者: 刘松民 顾书林 朱顺明 叶建东 刘伟 张荣 郑有炓
• 机 构: 江苏省光电信息功能材料重点实验室
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2007年z1期
• 关键词: ZNO MOCVD 数值模拟
• 基金项目: 国家重点基础研究发展规划(批准号:G001CB3095)和国家自然科学基金(批准号:60576017,60390073,50532100)资助项目

采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量、动量、质量和物种守恒方程,研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果对ZnO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.