压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ljh6090008
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采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。 High-density phase change memory (PCRAM) memory array is fabricated by low cost and high efficiency imprinting technology. A 4Gbit / inch2 memory array of Si2Sb2Te5 (SST) new material is developed with a memory cell area of ​​0.04μm2. SEM observation The patterned photoresist pattern and the etched SST memory array have a high degree of uniformity of cell shape and a standard deviation of 3 times the cell size is less than 6 nm. AFM has been used to study the IV Characteristics, the threshold voltage of 1.56V, high and low resistance state resistance changes more than two orders of magnitude. The experimental results show that SST new material and imprint technology in PCRAM chip application value.
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