【摘 要】
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目前,半导体集成电路即将实现把几百万个晶体管集成到几平方毫米半导体芯片的超LSI,这样的发展完全是建立在以微细加工技术和短沟道MOS器件技术为主基础之上。但在尔后把1微
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目前,半导体集成电路即将实现把几百万个晶体管集成到几平方毫米半导体芯片的超LSI,这样的发展完全是建立在以微细加工技术和短沟道MOS器件技术为主基础之上。但在尔后把1微米以下(亚微米)半导体器件作为集成电路基本器件的研制过程中,将会产生各种问题。一是三维立体结构将会给微细化半导
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