放电等离子烧结工艺合成Ti3SiC2的研究

• 作 者: 朱教群 梅炳初 陈艳林
• 机 构: 武汉理工大学材料复合国家重点实验室
• 出 处: 硅酸盐学报
• 发表日期: 2002年5期
• 关键词: 放电等离子烧结工艺 合成 TI3SIC2 研究 碳硅化钛 titanium silicon carbide aluminum synthesis spar
• 基金项目: 国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目

以元素单质粉为原料, 当原料配比为n(Ti)∶n(Si)∶n(Al)∶n(C)=3∶(1.2-x)∶x∶2, 其中:x=0.05～0.2时, 在1 200～1 250 ℃温度下经放电等离子烧结成功制备了高纯、致密Ti3SiC2固溶体材料.原料中掺加适量Al能改善Ti3SiC2的合成反应并提高制备材料的纯度.当x=0.2时, 所合成的固溶体形貌为板状结晶, 分子式近似为Ti3Si0.8Al0.2C2, 晶格参数a=0.306 9 nm, c=1.767 nm.在1 250 ℃温度下烧结, 得到平均厚度达5