【摘 要】
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本文应用中子活化分析的相对法和单一比较器法,对各种不同工艺生产的半导体硅中的杂质元素进行了研究。同时用理论的和实验的K值以及相对法,研究了中子活化分析的单一比较器
【机 构】
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广东省测试分析研究所,广东省测试分析研究所,广东省测试分析研究所,广东省测试分析研究所
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本文应用中子活化分析的相对法和单一比较器法,对各种不同工艺生产的半导体硅中的杂质元素进行了研究。同时用理论的和实验的K值以及相对法,研究了中子活化分析的单一比较器法的可靠性。应用这两种方法测定了半导体硅中的8种主要杂质元素,并计算了其探测极限。
In this paper, we use the relative method of neutron activation analysis and the single comparator method to study the impurity elements in semiconductor silicon produced by different kinds of processes. At the same time, the reliability of the single comparator method of neutron activation analysis was studied by using the theoretical and experimental K values and the relative method. Eight kinds of main impurity elements in semiconductor silicon were measured by these two methods, and their detection limits were calculated.
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