【摘 要】
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外延侧向附晶生长(ELO)技术是在单晶硅上面的氧化岛的边缘引晶并在氧化层上附晶生长CVD硅来形成SOI层; ELO技术用常规的外延反应炉来生长外延硅;与别的SOI方法相比,这种SOI膜
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外延侧向附晶生长(ELO)技术是在单晶硅上面的氧化岛的边缘引晶并在氧化层上附晶生长CVD硅来形成SOI层; ELO技术用常规的外延反应炉来生长外延硅;与别的SOI方法相比,这种SOI膜的缺陷密度低而且支承ELO硅的片子不发生曲翘变形;SOI/ELO膜的电学特性,诸如迁移率和寿命,与在同样反应炉中生长的同质外延层的电学特性类似;文中讨论了与ELO和选择外延生长(SEG)相关的问题;我们将介绍缺陷结构、生长速率与图形几何尺寸的关系和附晶生长速率方面的现况,我们还将讨论ELO/SEG膜的电学特性,特别是(用CV
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