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采用超声波电沉积方法在钼衬底上制备了cu，In双层膜，随后硒化得到了CulnSe2薄膜。采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）和X射线衍射仪（XRD）研究了薄膜的表面形貌、化学成分和相组成。结果表明：利用超声波电沉积可以得到颗粒细小、均匀致密的cu层和In层；采用不同的工艺参数可以调节双层膜的Cu／In比率；双层膜在130℃下，退火6h后进行硒化，可得到符合化学计量比的CulnSe2薄膜。