Au／NiCr／Ta多层金属膜退火后的电阻率异常增大

• 作 者: 唐武 徐可为 王平 李弦
• 机 构: 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安空间无线电技术研究所
• 出 处: 金属学报
• 发表日期: 2003年2期
• 关键词: 退火 Au/NiCr/Ta 多层金属膜 电阻率 扩散 微波集成电路 Au/NiCr/Ta multilayer resistivity diffusion

用磁控溅射方法在A12O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜,通过X射线衍射技术研究退火前后薄膜晶体取向的变化,Auger电子能谱分析退火前后薄膜沿深度方向的元素分布,四点探针测试退火前后薄膜表面电阻率.结果表明:退火后111Au与200Au衍射强度相对比值减小;薄膜表面电阻率异常增大;退火温度越高,薄膜表面电阻率越大.分析认为主要是由于Ni,Cr元素向金膜表层扩散导致薄膜表面电阻率异常增大.