关于金硅面垒探测器的α辐射损伤问题

来源 :核电子学与探测技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zfx523
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凡是看到过氘氚反应后的废氚靶者,都会发现氘靶上的损伤处处皆是。损伤过重,致使放出中子的数量大大减小,这是由于高速氚离子轰击所致。同样道理,金硅面垒半导体探测器受到大量α粒子轰击后,也会产生类似的现象,使计数效率大大下降,称之为α辐射损伤。 Those who have seen the deuterium and tritium reaction waste tritium target, will find deuterium target damage everywhere. Damage is too heavy, resulting in greatly reduced the number of neutron release, which is due to high-speed tritium ion bombardment. By the same token, after being attacked by a large amount of α-particles, a similar phenomenon occurs in the gold-silicon surface-barrier semiconductor detector, greatly reducing the counting efficiency, which is called α-radiation damage.
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