吲达帕胺在SDBS现场自组装膜与[BnMIM]PF6复合修饰碳糊电极上的电化学性质及电分析方法研究

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研究了吲达帕胺(IND)在表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)现场自组装膜与离子液体(1-苄基-3甲基咪唑六氟磷酸盐)复合修饰碳糊电极上的电催化氧化及电化学动力学性质。同时用计时库仑法、计时电流法测定IND在SDBS-[BnMIM]PF6/CPE上的电极反应动力学参数,并用方波伏安法(SWV)测定IND氧化峰电流(Ip)与其浓度在3.0×10-6~1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为Ip(μA)=1.504+414.061c(10-3mol/L),R=0.9994,检出限(S/N=3)为2.0×10-7mol/L,在此基础上用SWV法对市售的IND片剂中IND含量进行了电化学定量测定,RSD在1.0%~1.6%间,加标回收率在99.4%~103.2%之间。 The effects of indapamide (IND) on the surface-active self-assembled sodium dodecylbenzenesulfonate (SDBS) membrane and ionic liquid (1-benzyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate) Electrocatalytic Oxidation and Electrochemical Kinetics of Electrodes. At the same time, the kinetic parameters of IND reaction on SDBS- [BnMIM] PF6 / CPE were measured by chrono-coulometry and chronoamperometry. The IND oxidation peak currents (Ip) were measured with square wave voltammetry (SWV) The linear regression equation was Ip (μA) = 1.504 + 414.061c (10-3mol / L), R = 0.9994. The limit of detection (S / N = 3) was 2.0 × 10-7mol / L. On this basis, the IND content of commercially available IND tablets was electrochemically determined with SWV method. The RSD was between 1.0% and 1.6% Between 99.4% ~ 103.2%.
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