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费米能级和少数载流子浓度是硅半导体的重要物理参数，它们与半导体掺杂杂质种类、掺杂浓度和温度都密切相关，至今尚未有一统一的数学模型，特别是在杂质重掺杂各件下进行定量的计算。本文考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应，建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适应的数学模型，着重分析了重掺杂条件下它们的温度特性，获得的计算结果与文献数据较好吻合，这为低温半导体器的设计提供了有益的理论基础。