氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响

• 作 者: 谢书银 王丙义 蔡爱军 李立本 张锦心
• 机 构: 中南工业大学应用物理与热能工程系,浙江大学硅材料国家重点实验室
• 出 处: 中南工业大学学报
• 发表日期: 1998年1期
• 关键词: 氧氮磷杂质 硅片 高温形变 silicon oxygen nitrogen phosphorus deformation

通过模拟集成电路高温工艺的１２００℃．１．５ｈ后急冷热处理，研究了硅中氧，氮，磷３种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响。实验结果表明，普通氩气氛下直拉单晶硅高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅的１／３左右。在含氮气氛下直拉硅中，氮含量为４．５×１０＾１５ｃｍ＾－３的单昌尾部高温热处理弯曲率约是氮含量很小的单晶头部的１／３，重掺磷硅片热处理形变比普通硅片大得多。