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在考虑了俄歇效应的情况下，用行波速率方程组研究了半导体激光器的输出功率与端面反射率的关系。给出了在不同偏置电流下使激光器输出端输出功率最大所需要的端面反射率。利用主动监控法在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器端面上完成了这种功率增强膜的镀制，在所选择的６０ｍＡ工作电流处，镀膜后激光器的输出功率增加了１３０％。