掺Pt对Si（100）上形成的NiSi薄膜应力的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zkhe

【摘要】

：

利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响．通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力，发现在Si（100）衬底上生长的纯N

【作者】

：

黄巍茹国平 Detavernier C Van Meirh

【机构】

：

复旦大学微电子学系,DepartmentofSolidStateSciences

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年5期

【关键词】

：

硅化镍镍铂硅化物应力 NiSi Ni1- x Ptx Si stress

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号,60576029,90607018）,科技部中国.比利时科技合作项目（批准号：B/06086/01）,上海应用材料研究发展基金（批准号：0514）及上海市自然科学基金（批准号,05ZR14017）资助项目

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利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响．通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力，发现在Si（100）衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力，且分别为775MPa和1．31GPa，而对于Ni-x，Ptx si合金硅化物薄膜，室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大．应力随温度变化曲线的分析表明，Ni1-x，Ptx Si合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加，从440℃（纯NiSi薄膜）升高到620℃（纯PtSi薄

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