【摘 要】
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本文用逐层淀积法制备了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜，研究了生长速率、子层厚度及氢等离子体处理对薄膜性质的影响，结果指出：不同条件下的氢等离子体处理不仅可以使淀积的样品发生从非晶到微晶的相变，而
【机 构】
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中国科学院半导体研究所，中国科学院表面物理国家重点实验室
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本文用逐层淀积法制备了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜，研究了生长速率、子层厚度及氢等离子体处理对薄膜性质的影响，结果指出：不同条件下的氢等离子体处理不仅可以使淀积的样品发生从非晶到微晶的相变，而且可以使费米能级的位置向上或者向下移动，在较低的淀积速率及较小的子层厚度下淀积，并配合以适度的氢等离子体处理，可以得到具有较高光电灵敏度及稳定性的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜。
In this paper, a-Si: H thin films were deposited by layer-by-layer deposition. The effects of growth rate, sublayer thickness and hydrogen plasma treatment on the properties of the films were investigated. The results show that the hydrogen plasma treatment under different conditions not only makes the The product of the samples undergoes a phase change from amorphous to microcrystalline, and the position of the Fermi level can be moved up or down, deposited at a lower deposition rate and with a smaller sub-layer thickness, Moderate hydrogen plasma treatment, you can get a high photoelectric sensitivity and stability of a-Si: H film.
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