中国IGBT功率半导体器件产业观察

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IGBT是功率器件技术演变的最新产品,是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势,IGBT产品可以实现对以往功率 IGBT is the latest product of power device technology evolution, is the future direction of the mainstream of power devices. IGBT device is a MOSFET and bipolar transistor devices. Both the power MOSFET is easy to drive, simple control, the advantages of high switching frequency, and the power transistor low on-voltage, on-state current, low loss advantages. Based on technical and functional advantages, IGBT products can achieve the power of the past
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