杀草强在纳米SiO_2修饰碳糊电极上的电化学行为及其测定

• 作 者: 姚秉华 张磊 赵青 庞秀芬 王骋
• 机 构: 教育部西北水资源与环境生态重点实验室,西安理工大学应用化学系
• 出 处: 分析科学学报
• 发表日期: 2010年5期
• 关键词: 伏安法 修饰电极 修饰碳糊电极 纳米SIO2 杀草强 Voltammetry Modified electrode Modified carbon past
• 基金项目: 高等学校博士点学科基金（No.20096118110008）, 陕西省自然科学基金（No.SJ08B16）, 陕西省教育厅科研专项基金（No.09JK672）, 西安市科学计划项目（No.CXY09025）

制备了纳米SiO2修饰碳糊电极（Nano-SiO2/CPE）,通过循环伏安法和示差脉冲伏安法研究了杀草强在Nano-SiO2/CPE上的电化学行为,建立了一种测定杀草强的电化学分析方法。在pH=3.0的0.2mol·L-1H3PO4-NaH2PO4缓冲溶液中,杀草强在Nano-SiO2/CPE上于＋0.986V（vs.SCE）处产生一个灵敏的氧化峰。在最佳实验条件下,该氧化峰电流与杀草强浓度在5.0×10-6～1.0×10-3mol.L-1范围呈线性关系,相关系数为0.999