Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究

• 作 者: 邓咏桢 郑有炓 周春红 孔月婵 陈鹏 叶建东 顾书林 沈波
• 机 构: 南京大学物理系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2004年9期
• 关键词: Si基AlN 深陷阱中心 PL谱 AlN grown on Si substratedeeptrap centerPL spectra
• 基金项目: 国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 ) ,,国家自然科学基金 (批准号 :60 13 60 2 0 ,60 2 90 0 80 ) ,,国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 0 5 3 0 4)资助项目~~

通过PL谱和Raman谱对MOCVD生长Si基AIN的深陷阱中心进行了研究，发现三个深能级Et1，Et2，Et3，分别在Ev上2．61，3．10，2．11eV．Et1是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的，Et2、Et3都是由于衬底Si原子扩散到AlN引起的．在Si浓度较低时，Si主要以取代Al原子的方式存在，产生深陷阱中心Et2+Si浓度高于某个临界浓度时，部分Si原子以取代N原子位置的方式存在，形成深陷阱中心Et3。实验还表明，即使经高温长时间退火，AlN中Et1和Et2两个深