PECVD非晶SiO2薄膜的红外吸收特性研究

• 作 者: 何乐年
• 机 构: 浙江大学信息与电子工程学系
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2002年1期
• 关键词: 非晶SiO2薄膜 PECVD 红外光谱 Si-O-Si键 amorphous SiO2films PECVD infrared spectroscopy Si-

用傅里叶红外吸收(FT-IR)光谱研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备的非晶siO2薄膜(a-SiO2)的Si-(O-Si键的红外吸收特性与膜厚的关系.Si-O-Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm-1附近分别有两个吸收峰,弯曲振动模在800cm-1附近有一个吸收峰.1050cm-1和1150cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加,而800cm-1吸收带的积分强度不随膜层的递增而变化.因此我们推测薄膜密度不随膜厚而变化,1050cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加的原因是