【摘 要】
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二元合金半导体晶体生长的径向组分均匀性是一个重要参数。影响径向分凝的因素很多,如对流、弯曲的凝固界面、弯曲的熔化界面等。为了理解每种作用对径向分凝的影响,往往用简
【机 构】
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中国科学院力学研究所!北京100080,日本早稻田大学应用化学系!东京169
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二元合金半导体晶体生长的径向组分均匀性是一个重要参数。影响径向分凝的因素很多,如对流、弯曲的凝固界面、弯曲的熔化界面等。为了理解每种作用对径向分凝的影响,往往用简单模型给出分析1/2a。更完整的问题必须用数值方法研究耦合过程。
Radial composition uniformity of binary alloy semiconductor crystal growth is an important parameter. There are many factors that affect radial segregation, such as convection, curved solidification interface, curved melting interface, and the like. To understand the effect of each action on radial segregation, analysis 1 / 2a is often given in a simple model. A more complete problem must be solved numerically for the coupling process.
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