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我国砷化镓单晶生长技术取得国际领先水平
我国砷化镓单晶生长技术取得国际领先水平
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:alikeboy
【摘 要】
:
本刊讯:2006年2月28日大庆佳昌科技有限公司采用自主创新的WLEC法(王氏液封直拉技术)在国内率先拉制出200mm砷化镓单晶。
【机 构】
:
《半导体技术》记者
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2006年5期
【关键词】
:
单晶生长技术
砷化镓单晶
国际领先水平
液封直拉
LEC法
自主创新
有限公司
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本刊讯:2006年2月28日大庆佳昌科技有限公司采用自主创新的WLEC法(王氏液封直拉技术)在国内率先拉制出200mm砷化镓单晶。
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