【摘 要】
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研究并试制了共漏GaAsFET稳定振荡器,该振荡器电路结构简单,容易封装。文中给出了振荡器的大信号设计方法及主振器与介质谐振器的耦合方法,说明了所制得的共漏GaAsFET稳定振
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研究并试制了共漏GaAsFET稳定振荡器,该振荡器电路结构简单,容易封装。文中给出了振荡器的大信号设计方法及主振器与介质谐振器的耦合方法,说明了所制得的共漏GaAsFET稳定振荡器的振荡特性、振荡频率调谐特性及温度特性,调频噪声特性等。
Research and trial production of a common drain GaAsFET stable oscillator, the oscillator circuit structure is simple, easy to package. In this paper, the large signal design method of oscillator and the coupling method of the main oscillator and the dielectric resonator are given. The oscillation characteristics, the tuning frequency and the temperature characteristic of the oscillation oscillator, the frequency modulation noise characteristics Wait.
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