未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系

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在284K~455K温度范围内,对未掺杂半绝缘LECGaAs样品进行了霍尔一范德堡测量.根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷EL2电离率的温度关系.发现计算结果与标准LECSIGaAs样品有明显差别.这种差别可能是由于样品中存在杂质和缺陷不均匀分布引起的长程势波动. In the temperature range of 284K ~ 455K, a Hall-Edwards test was performed on undoped LECGaAs samples. Based on the experimental data, the temperature relationship between the Fermi level and the EL2 ionization rate of the deep defect host was calculated. The calculated results show significant differences from the standard LECSIGaAs samples. This difference may be due to the presence of impurities and defects in the sample caused by uneven distribution of long-range fluctuations.
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