【摘 要】
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提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案,它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理,将两者做相关运算,得到零温度系数的恒压源.该电压源没有采用二极管和寄生
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所 北京 100084,北京 100084,北京 100084
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提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案,它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理,将两者做相关运算,得到零温度系数的恒压源.该电压源没有采用二极管和寄生三极管,并用SMIC0·18μm数模混合工艺模型参数仿真并制造.测试结果表明,温度系数达到了44ppm/℃,PSRR为-46dB,650mV以上的电源电压就可以完全正常工作.芯片面积约为0·05mm2.
A new CMOS constant voltage source fabrication scheme is proposed, which is based on the principle that the gate-source voltage in the saturated region of nMOS and pMOS varies with the temperature variation weight, and the two are related operations to obtain a constant voltage source with zero temperature coefficient. The source is not diode or parasitic transistor and is modeled and fabricated with the SMIC0 · 18μm digital-to-analog hybrid process model.The test results show that the temperature coefficient reaches 44ppm / ℃ and the PSRR is -46dB, the supply voltage above 650mV can work normally. The chip area is about 0 · 05mm2.
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