退火对p型GaP和p型AIGaInP载流子浓度的影响

• 作 者: 李述体 范广涵 周天明 孙慧卿 王浩 郑树文 郭志友
• 机 构: 华南师范大学光电予材料与技术研究所
• 出 处: 华南师范大学学报：自然科学版
• 发表日期: 2004年1期
• 关键词: 半导体 光致发光 砷化镓 载流子浓度 退火 semiconductor AlGaInP AlGaInP/GaInP MQW ECV photoluminesce
• 基金项目: 国家科技攻关计划资助项目(00-068),,华南师范大学博士启动资金资助项目(660119)

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP／GalnP多量子阱红光LED外延片．相关研究表明退火对P型GaP和P型AlGaInP载流子浓度有重要影响．与未退火样品相比，460％退火15min，外延片P型GaP层的空穴浓度由5．6×10^18cm^-3增大到6．5×10^18cm^-3，p型AlGaInP层的空穴浓度由6．0×10^17cm^-3增大到1．1×10^18cm^-3．这可能是由于退火破坏了Mg-H复合体，恢复了Mg受主的活性导致的。