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以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值.
第三代半导体器件制备及评价技术取得突破
【摘 要】
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以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,
【出 处】
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河南科技
【发表日期】
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2018年26期
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