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【摘 要】
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垂重多重结半导体器件(VMJ)有良好的近红外光电特性。本文报道了垂直多重结器件的制作工艺及其红外光谱响应的测量结果,同时对该器件的红外谱响应作了分析,并挺出了进一步改
【机 构】
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内蒙古师范大学物理系,内蒙古大学物理系,内蒙古师范大学物理系,
【出 处】
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内蒙古大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1992年04期
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