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3300 V FS型IGBT器件研制

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunshu

【作 者】

：

朱涛  刘江  高明超  冷国庆  赵哿  王耀华  金锐  温 

【出 处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2017年08期

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