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IRS26310DJPbF把功率MOSFET和IGBT栅极驱动器与三个高压侧及三个低压侧参考输出通道集成在一起，在20V MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下，可提供200mA／350mA的驱动电流。其整合了集成的自举二极管，可提供全面的保护功能，包括改进的负电压尖峰（Vs）免疫电路，以防止系统在大电流切换或短路情况下发生灾难性事件，实现更高水平的耐用性和可靠性。