【摘 要】
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在Si(111)衬底上淀积55nm金属Pt膜的样品,用能量为300keV的As~+离子注入后热退火,从X射线衍射分析中观察到了PtSi的择优取向生长现象,生长的择优方向为(101)。从晶体学的角度
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,清华大学北京工业学院应用物理系
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在Si(111)衬底上淀积55nm金属Pt膜的样品,用能量为300keV的As~+离子注入后热退火,从X射线衍射分析中观察到了PtSi的择优取向生长现象,生长的择优方向为(101)。从晶体学的角度出发,对离子束感生后退火形成的多晶PtSi膜的择优取向生长现象进行了研究和讨论,并与单纯热退火形成PtSi的情况进行了比较,提出了界面PtSi择优生长的可能机制。另外,观察到衬底Si的取向对PtSi的择优取向生长有影响,在Si(100)衬底上形成的PtSi无择优取向生长现象。 离子束 择优取向 PtSi
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