论文部分内容阅读
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α；CH薄膜微器件，研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响，并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明：在相同条件下，刻蚀速率随刻蚀时间变化不大；α：CH薄膜上有铝和无铝掩膜时，刻蚀速率相同；流量一定时，刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低，当用纯氩气时，几乎没刻蚀作用；刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中，得到最佳刻蚀条件是：纯氧气，流量4mL·s^-1，工作气压9．9×10^-2Pa，微波源电流80mA，偏压-