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研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属－氧化物－半导体场效应晶体管的氧化层,笃于栅厚为3nm的超薄栅MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接随穿电流的影响，数值模拟的结果表明：界面粗糙度对电子的直接隧穿有较大的影响，且直接隧穿电流随界面的粗糙度增加而增大，界面粗糙度对电子的直接隧穿的影响随着外加电 增加而减小。