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基于器件Y参数，对Si／Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si／Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与SiBJT相比，Si／SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。
SiGe／Si HBT高频噪声特性研究
【摘 要】
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基于器件Y参数，对Si／Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si／Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与SiBJT相比，Si／SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,模拟集成电路国家重点实验室
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2006年1期
【基金项目】
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模拟集成电路围家重点实验室基金资助项目（51439010804QT0101）,国家自然科学基金资助项目（60376033）,北京市优秀跨世纪人才基金资助项目（67002013200301）
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