6H-SiC衬底片的表面处理

• 作 者: 陈秀芳 徐现刚 胡小波 杨光 宁丽娜 王英民 李娟 姜守振
• 机 构: 山东大学晶体材料国家重点实验室
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2007年5期
• 关键词: 6H-SIC 衬底 表面处理 研磨 化学机械抛光 6H-SiCsubstratesurface treatmentlappingchemi-mechanical
• 基金项目: This work supported by the National Natural Science Foundation of China （ No. 50472068 ） and Program for New Century ExcellentTalents in University

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底。本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响。用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面。结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量。经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm。在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜。