【摘 要】
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本文介绍用带电粒子核反应法测量杂质层厚度和密度的方法,并用低能质子束轰击含磷硅片,通过~(31)P(p,α)~(28)Si共振反应产额曲线,测量了掺磷单晶硅薄层的厚度和含磷密度;同
【机 构】
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中国科学院原子能研究所带电粒子核反应分析组
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本文介绍用带电粒子核反应法测量杂质层厚度和密度的方法,并用低能质子束轰击含磷硅片,通过~(31)P(p,α)~(28)Si共振反应产额曲线,测量了掺磷单晶硅薄层的厚度和含磷密度;同时对实验误差进行了分析。
In this paper, the method of measuring the thickness and density of impurity layer by the method of charged particle nuclear reaction is introduced. By using the low energy proton beam to bombard the phosphorus - containing silicon wafer, the yield curve of ~ (31) P (p, α) The thickness and phosphorus density of the phosphorus-doped single-crystal silicon thin layer were analyzed. The experimental error was also analyzed.
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