Vg=Vd／2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响

• 作 者: 胡靖 赵要 许铭真 谭长华
• 机 构: 北京大学微电子所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2003年12期
• 关键词: 宽度增强退化 尖断电压 电流拥挤效应 应力模式 宽度变窄 HALO-pMOSFETs width-enhanced degradationpinch-off v
• 基金项目: 国家重点基础研究发展规划资助项目 (No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 )~~

讨论了最差应力模式下(Vg=Vd/2)宽沟和窄沟器件的退化特性．随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化．不同沟道宽度pMOSFETs的主要退化机制是界面态产生．沟道增强的器件退化是由于沟道宽度增强的碰撞电离率．通过分析电流拥挤效应，阈值电压随沟道宽度的变化，速度饱和区特征长度的变化和HALO结构串联阻抗这些可能原因，得出沟道宽度增强的热载流子退化是由宽度降低导致器件阈值电压和串联阻抗降低的共同作用引起的．