【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长技术结合限制性结晶原理,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法,使a-Si:H层晶化,制备出了高密度的、尺寸均匀的nc-Si薄膜;利用
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室
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采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长技术结合限制性结晶原理,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法,使a-Si:H层晶化,制备出了高密度的、尺寸均匀的nc-Si薄膜;利用Raman散射和透射电镜(TEM)技术,分析了样品的结构特性;采用C-V测量方法,通过对退火和未退火样品的对比分析,对该三明治样品的电学性质进行了研究,观察到nc-Si薄膜的电荷存储现象,并且该现象与nc-Si层的厚度有着明显的关系.
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