应用于超大规模集成电路的新材料WSi2的快速热退火形成

来源 :应用科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangqimeng2008

【摘要】

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用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi_2的行为.在331和450cm~(-1)处有两个WSi_2的特征喇

【作者】

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陈存礼曹明珠华文玉

【机构】

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南京大学,华东工学院

【出处】

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应用科学学报

【发表日期】

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1991年3期

【关键词】

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VLSI WSi2 快速热退火喇曼散射 tungsten disilicide (WSi2) vacuum rapid thermal annealing

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用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi_2的行为.在331和450cm~(-1)处有两个WSi_2的特征喇曼峰.随着快速热退火温度的升高,WSi_2的晶化不断增强.发现WSi_2中伴有W_5Si_3相存在,但其行为仍显示为WSi_2的特征.

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